ルネサス エレクトロニクスが、同社初となる低耐圧窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスとして、100V耐圧のエンハンスメントモード(Eモード)GaN FETを発表した。AIデータセンターの電源システムやヒューマノイドロボット、産業用モーターなどをターゲットとする。
高速伝送や電力供給(PD:Power Delivery)機能をサポートするUSB 3.1およびType-Cが登場し、注目を集めている。USB ...
Eggtronicは、ノートPC用アダプターなどのUSB Type-C給電機器向けに、最大140W出力に対応するUSB Power Delivery(USB PD)3.1準拠のAC-DC電源リファレンスデザインを発表した。
リテルヒューズは、オムニポーラトンネル磁気抵抗(TMR)スイッチセンサー「TX00AT314AMA」を発表した。リード付きのTO-92パッケージを採用することで、スルーホールアセンブリおよびプロトタイプ段階での組み込みを容易にした。
Melexisの絶縁型ホール電流センサー「MLX91224」と「MLX91225」は、車載およびエネルギー用途で最大100A RMS ...
Cognexは2026年9月、半導体製造向けの新型ウエハー/パネル識別システム「In-Sight 1750」シリーズを発表した。特殊なマルチ照明モードやエッジAI活用の読み取りエンジン、200万画素イメージセンサーなどで高い読み取りレートを実現する。
インフィニオン テクノロジーズは、車載および産業用モーター制御向けに設計された、ホール技術ベースのデジタル角度センサー「XENSIV TLx49012」ファミリーを発表した。独自のシステム自己キャリブレーション機能を備える。
ルネサス エレクトロニクスは、耐圧650Vの窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスのサンプル提供を開始した。メガワット級のAIデータセンター向けに、両面冷却パッケージを採用した製品。低いオン抵抗と高い電力密度を実現した。
AIの進化はGPUや大規模言語モデル(LLM)などに焦点が当たりがちです。だが、目立たないながらもAIインフラの性能を大きく左右する要素の一つがストレージです。本稿では、データセンターとエッジという2つの現場に共通する基盤技術として、ストレージの供給 ...
ビシェイ・インターテクノロジーは、高周波用途向けの薄膜チップ抵抗器「CHEP」シリーズを発表した。熱伝導性に優れる窒化アルミニウム(AlN)基板を採用。すでにサンプルおよび製品の ...
【共通条件】 Vout=5V、RL (R1)=10 (Pout=2.5W)、N 1 =53T、N 2 =5T、L 2 =100μk L 1 = (53/5) 2 ×0.1=11.236mH L T =11.236+0.1+2√ (11.236×0.1 ...